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Transcend/創(chuàng)見 PCIe M.2 SSDs MTE370T & MTE370T-I

創(chuàng)見M.2 2230固態(tài)硬盤MTE370T采用最新一代3D NAND技術(shù)，可堆疊高達112層閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE370T采用PCIe Gen 3 x4接口，符合NVMe 1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE370T固態(tài)硬盤經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(Corner Bond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

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規(guī)格

外觀
尺寸	30 mm x 22 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.08")
重量	4 g (0.14 oz)
M.2規(guī)格	2230-S3-M
外觀尺寸	M.2 2230
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen3 x4
存儲
容量	256 GB/ 512 GB/ 1 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (185°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 75°C (167°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	3.5 瓦
耗電量 (IDLE)	0.53 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達 2,000 MB/s 寫入: 高達 1,700 MB/s
4K隨機讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達 140,000 IOPS 寫入: 高達 280,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達 960 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	0.88 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負載可能與實際工作負載不同，實際工作負載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。
保修
安規(guī)認證	CE/ UKCA/ FCC/ BSMI
保修	三年有限保修