固態(tài)硬盤控制器上有ECC糾錯模塊 ，部分閃存還集成了ECC糾錯模塊。常用的閃存ECC 糾錯算法有BCH (Bose、Ray -Chaudhuri和Hocquenghem三位大神名的首字母 )和LDPC(Low Density Parity Check Code)等。目前市場上很多固態(tài)硬盤控制器都采用 BCH ，但LDPC正成為一種趨勢 。

用戶數(shù)據(jù)最終寫在閃存頁面上。除用戶空間 外，閃存頁面空間還有額外的預留空間，可用于編寫 ECC 驗證數(shù)據(jù) 。用戶數(shù)據(jù)的大小是固定的，需要更強的糾錯能力 ，這需要更多的ECC空間 。因此，糾錯強度僅限于閃存頁面的預留空間。 預留空間越多，ECC 糾錯能力越強。

目前，絕大多數(shù)固態(tài)硬盤都采用 靜態(tài)ECC糾錯方案 。ECC糾錯單元（用戶數(shù)據(jù) ）和ECC校準數(shù)據(jù)的大小在整個固態(tài)硬盤生命周期中是固定的，即糾錯能力 始終保持不變 。由于閃存在使用初期比特 翻轉(zhuǎn)的概率較小，隨著閃存的使用，錯誤的概率逐漸增加 。 

因此 ，一些固態(tài)硬盤開始使用動態(tài)ECC糾錯方案 ：開始使用更少的糾錯碼 ，以便在閃存頁面中存儲更多的用戶數(shù)據(jù) ；隨著固態(tài)硬盤的使用，糾錯能力需要加強，用戶數(shù)據(jù)在閃存頁面中的比例越小，糾錯碼的比例越大。動態(tài) ECC 糾錯 方案 是隨著 固態(tài)硬盤的使用 ，動態(tài)調(diào)整 其ECC糾錯能力 。 

如果您開始使用 更少的ECC校準數(shù)據(jù)，那么每個頁面都可以寫更多的用戶數(shù)據(jù) ，這相當于固態(tài)硬盤有更多的OP (Over Provisioning，預留空間），減少了寫放大 ；同時，從控制器中寫入或讀取閃存通道 ，用戶數(shù)據(jù) 越多，帶寬使用率越高。

事實上，動態(tài)ECC的優(yōu)勢不僅體現(xiàn) 在ECC 糾錯能力隨著時間的推移而變化 ，而且體現(xiàn)在固態(tài)硬盤的閃存位置上。每個Die甚至每個閃存頁面都有不同的糾錯能力。在固態(tài)硬盤閃存陣列中，有些Die可能質(zhì)量更好，有些 Die可能質(zhì)量更差。好的Die可以使用更少的ECC糾錯代碼；相反，差的Die需要更強的ECC糾錯 。對于MLC來說，Lower Page比Upper Page更穩(wěn)定 ，因此可以使用較弱的ECC保護 ；相反，Upper Page需要更強的ECC 保護 。

因此，ECC糾錯碼成了因態(tài)硬盤中不可缺少的重要部分，發(fā)揮它強大的糾錯功能。